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崗位：功率半導(dǎo)體工藝工程師 工作地點(diǎn)： 西安 待遇： 16k~20k 五險(xiǎn)一金、餐補(bǔ)15元/天、交通150元/月 崗位職責(zé)： 1. 工藝開發(fā)與優(yōu)化： ? 負(fù)責(zé) IGBT、SJ-MOS、BCD 等硅基功率半導(dǎo)體器件的前道（Front-End）制造工藝開發(fā)與持續(xù)優(yōu)化。 ? 參與新產(chǎn)品的工藝流程開發(fā)，制定工藝參數(shù)，確保量產(chǎn)階段良率達(dá)標(biāo)。 2. 技術(shù)支持與問題分析： ? 對(duì)工藝異常、產(chǎn)品失效進(jìn)行深入分析，優(yōu)化關(guān)鍵工藝參數(shù)，提高產(chǎn)品一致性與穩(wěn)定性。 ? 協(xié)同設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā)，對(duì)版圖設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行工藝可制造性（DFM）評(píng)估。 3. 工藝轉(zhuǎn)移與量產(chǎn)導(dǎo)入： ? 負(fù)責(zé)將工藝從實(shí)驗(yàn)室階段逐步轉(zhuǎn)移至量產(chǎn)，推進(jìn)工藝標(biāo)準(zhǔn)化和量產(chǎn)導(dǎo)入工作。 ? 與代工廠（Foundry）對(duì)接，確保工藝流程符合產(chǎn)品需求，并進(jìn)行相關(guān)數(shù)據(jù)分析與改進(jìn)。 4. 工藝流程管理與文檔維護(hù)： ? 負(fù)責(zé)工藝流程優(yōu)化及規(guī)范化管理，維護(hù)和更新相關(guān)工藝文件、SOP 等技術(shù)文檔。 ? 為生產(chǎn)線提供技術(shù)支持，提升量產(chǎn)良率和工藝穩(wěn)定性。 任職要求： 1. 學(xué)歷與專業(yè)： ? 微電子、材料、半導(dǎo)體物理、電子工程等相關(guān)專業(yè)，碩士及以上學(xué)歷（優(yōu)秀的本科生可考慮）。 2. 工作經(jīng)驗(yàn)： ? 3年以上硅基功率半導(dǎo)體工藝開發(fā)或制造相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，熟悉 IGBT、BCD、SJ-MOS 等工藝流程及關(guān)鍵參數(shù)。 ? 有晶圓廠（Foundry）或IDM公司前道工藝、工藝整合、工藝工程師工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。 3. 專業(yè)能力： ? 熟悉功率器件的光刻、離子注入、氧化、刻蝕、CMP、薄膜沉積等關(guān)鍵工藝步驟。 ? 具備工藝異常分析、數(shù)據(jù)分析、良率提升經(jīng)驗(yàn)，掌握SPC（統(tǒng)計(jì)過程控制）等質(zhì)量管理工具。 4. 綜合素質(zhì)： ? 具備較強(qiáng)的邏輯思維能力、問題分析與解決能力，溝通協(xié)調(diào)能力佳。 ? 具有高度責(zé)任心，能夠承受工作壓力，并具備良好的團(tuán)隊(duì)合作精神。 優(yōu)先條件： ? 具備1200V以上高壓IGBT或SiC MOSFET工藝經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。 ? 有參與工藝平臺(tái)搭建、代工廠技術(shù)支持經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。